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第三代半导体碳化硅（SiC）的专利市场竞争激烈，依据《日本社会新闻》7日报道，有关专利总数最大的前五名全是来源于美国、日本的大型企业。
在其中第一名是美国科锐（Cree），下面是日本罗姆（Rohm）、住友电工、三菱电机和Denso。
日本社会新闻在7日报道中提及，依据从业专利剖析的日本PatentResult所梳理出的数据信息，在与第三代半导体碳化硅相关的专利层面，美国Cree所持股的专利总数数最多，二到四名则全都被日本公司包办代替。
PatentResult的测算形式是根据2021年7月29日才行的美国已发售专利总数，再把总数及注目水平转化成成绩来计算出评分。
碳化硅可替代过去半导体原材料的硅利光（Silicone），尤其是在输出功率半导体等主要用途上，可提高特性、也有益环保节能。现阶段碳化硅已广泛应用在新能源汽车和太阳光光学系统软件的变频调速器上边，主要用途也越来越广。也有在渗碳时尚潮流的快速发展下，碳化硅的运用也备受关注。
依照PatentResult的剖析，第一名Cree的优势是在碳化硅基材和磊晶行业，第二名和第五名的罗姆和Denso的特长是在电力工程损害的减少层面，第三名的住友电工擅于碳化硅的晶体构造，第四名的三菱电机则在半导体设备的结构层面有着优势。
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